Studijoms.lt

Referatai, konspektai

Pavienių tranzistorių pritaikymo schemos

Autorius: Karolina

Turinys


1.1. Mažos galios žemo dažnio vienos pakopos dvipolių tranzistorių schemos 3

1.1.1 Tranzistorių veikimo principai 3

1.1.2 Maitinimo įtampos 6

1.1.3 Npn ir pnp struktūros tranzistoriai 7

1.1.4 Dvipoliai tranzistoriai 7

1.1.5 Dvipolių tranzistorių sandara ir veikimas 8

1.1.6 Tranzistorių veikla 11

1.1.7 Dvipolių tranzistorių jungimo schemos 11

1.1.8 Žemo dažnio tranzistoriai 13

1.1.9 Tranzistorių klasifikacija 14

1.1.10 Keturių elementų žymėjimo sistema 14


1.1.11 Pnp struktūros tranzistoriai MP39Б, MP40A, MP41A 15

1.1.12 Dvipolių tranzistorių mažų signalų modeliai 16

1.1.13 Dvipolių tranzistorių schemų projektavimo ypatumai 17

1.1.14 Tranzistoriaus parametrų analizė 22

1.1.15 Nuolatinės srovės parametrai 22

1.1.16 Silpnųjų signalų parametrai 23

1.1.17 Dažniai parametrai 25

1.1.18 Stipriųjų signalų parametrai 25

1.1.19 Ribinių režimų parametrai 26

1.1.20 Tranzistoriaus jungimo ir veikos variantai 26

1.1.21 Tranzistoriaus ekvivalentinių schemų analizė 28

1.1.22 Principinių schemų sudarymas 28

1.1.23 Principinių schemų parametrų skaičiavimas 28

1.1.24 Schemos dinamikos įvertinimas 32

1.1.25 Praktinės schemos konstravimo principai 32

1.1.26 Schemos parametrų matavimo būdai 32

1.1. Sąvokų žodynėlis 32

1.1. Literatūra: 33

1.1. Mažos galios žemo dažnio vienos pakopos dvipolių tranzistorių schemos

1.1.1 Tranzistorių veikimo principai

Išnagrinėsime dipolio tranzistoriaus veikimo principą, pasinaudoję 1.2.1. paveiksle pateikta schema. Paveiksle matyti, kad tranzistorius yra du puslaidininkiai diodai, turintys vieną bendrą bazę (pagrindą); be to, prie emiterinės pn sandūros prijungta įtampa E1 tiesiogine (laidžia) kryptimi, o prie kolektorinės sandūros prijungta įtampa E2 atgaline kryptimi. Paprastai lE2l»lE1l. sujungus jungiklius J1 ir J2, iš emiterio į bazės sritį pro emiterinę pn sandūrą vyksta skylių injekcija. Kartu bazės elektronai juda į emiterio sritį. Vadinasi, pro emiterinę sandūrą teka srovė šiuo keliu: +E1, miliampermetras mA1, emiteris, bazė, miliampermetras mA2, jungikliai J2 ir J1, -E1.

Jei išjungtume jungiklį J1, o jungiklius J2 ir J3 įjungtume, kolektoriaus grandinėje tekėtų tik nestipri atgalinė srovė, sukurta kryptingai judančių nepagrindinių krūvininkų – bazės skylių ir kolektoriaus elektronų. Srovės kelias: +E2, jungikliai J3 ir J2, miliampermetras mA2, bazė, kolektorius, miliampermetras mA3, -E2.

Dabar išnagrinėsime, kaip teka srovės tranzistoriaus grandinėse, kai įjungti visi jungikliai. Prijungus tranzistorių prie išorinių maitinimo šaltinių, pakinta pn sandūrų potencialinių barjerų aukštis. Emiterinės sandūros potencialinis barjeras pažemėja, o kolektorinės – paaukštėja.

Pro emiterinę sandūrą tekanti srovė vadinama emiterio srove (Ie). Ši srovė lygi skylinės ir elektroninės dedamųjų sumai: Ie = Iep + Ien.

Jei skylių ir elektronų koncentracijos bazėje ir emiteryje būtų vienodos, pro emiterinę sandūrą tekančią tiesioginę srovę kurtų vienodas skaičius skylių ir elektronų, judančių priešingomis kryptimis. Tačiau krūvininkų koncentracija bazėje yra daug mažesnė nei emiteryje. Todėl iš emiterio į bazę injektuotų skylių yra daug kartų daugiau nei priešinga kryptimi judančių elektronų. Vadinasi, beveik visą pro emiterinę pn sandūrą tekančią srovę nulemia skylės. Emiterio efektyvumas įvertinamas injekcijos koeficientu (γ), kuris pnp tipo tranzistoriams lygus emiterio srovės skylinės dedamosios ir visos emiterio srovės santykiui:

Puslapiai: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16

Rašykite komentarą

-->