Studijoms.lt

Referatai, konspektai

Analoginiai įtaisai

Autorius: Saulė

Skaičiuojamojo-paaiškinamojo rašto turinys
1. Įvadas

2. Apytikrė stiprintuvo skaičiuotė ir elementinės bazės parinkimas

3. Struktūrinės ir principinės schemos sudarymas

4. Pilna principinės schemos skaičiuotė bei elementų parinkimas, prisilaikant standarto

5. ADCH skaičiuotė

6. Stiprintuvo konstrukcijos aprašymas

7. Ekvivalentinė schema

8. Užduotyje nurodytų ir apskaičiuotų stiprintuvo parametrų ir charakteristikų palyginimas

9. Detalių specifikacija

10. Naudotos literatūros sąrašas

11. Turinys

Įvadas

Projekto tema: Garsinio dažnio betransformatorinis galios stiprintuvas

Projekto užduotis Nr. 10 duomenys: stiprinamų dažnių juosta [pic]=190 Hz –6,5 kHz ; leistinas tiesinių iškraipymų koeficientas [pic]; netiesinių iškraipymų koeficientas [pic] % ; (signalo šaltinio) įėjimo įtampa es=[pic] = 190 mV ; išėjimo galia Piš=2,1 W ; stiprintuvo įėjimo varža Rin(1,0 k( ; apkrova Ra=6 ( ; signalo šaltinio vidaus varža Rš= 1,0 k(Be transformatoriai galios stiprintuvai naudojami įvairiuose radiotechniniuose įrenginiuose garsinio dažnio signalams stiprinti (dažnių juosta nuo 5 Hz iki 80 kHz, nominali išėjimo galia iki 200 W ). Lyginant su transformatoriniais galios stiprintuvais, BGS turi nemažai pranašumų: jiems ne reikalingas išėjimo transformatorius, todėl sumažėja stiprintuvo matmenys, masė , dažniniai iškraipymai . Be to , tokie stiprintuvai ekonomiškesni ir pigesni. Jų išėjimo varža artima apkrovai, todėl nereikia papildomai suderinti varžų. Jie turi didesnį naudingumo koeficientą, ši stiprintuvą galima pagaminti kaip mikroschema.

Skaičiuojant stiprintuvą pirmiausiai parenkama stiprintuvo schema ir tranzistorių tipai, apskaičiuojami visi schemos elementai, stiprintuvo įėjimo varža ir įtampa. Skaičiuojant tranzistorinės pakopas, būtina atkreipti dėmėsi į tai, kad tranzistorių parametrų, ypač srovės stiprinimo koeficiento sklaida labai didelė. Labai tiksliai apskaičiuoti schemos elementus nebūtina, nes svarbiausi schemos elementai , ypač grįžtamojo ryšio grandinėse , parenkami derinant stiprintuvą. BGS schemų dabar yra labai įvairių. Jos turi skirtingas įėjimo, tarpines bei galines pakopas.

BGS galėsime sugrupuoti taip:
-stiprintuvai su komplementiniais tranzistoriais
-stiprintuvai su sudėtiniais komplementiniais tranzistoriais
-stiprintuvai su sudėtiniais kvazikomplementiniais tranzistoriais.

Apytikrė stiprintuvo skaičiuotė ir elementinės bazės parinkimas
Maitinimo šaltinio skaičiuotė

Betransformatorinio stiprintuvo maitinimo įtampa E, apkrovoje Ra išsiskirianti galia Pa yra tiesiogiai susijusios priklausomybe P=ξ2E2/8∙Ra (1)

Čia ξ – įtampos panaudojimo koeficientas

ξ=2∙Ukmax/E≈2∙Uamax/E (2)

čia Uamax – įtampos apkrovoje amplitudė kai Pa ir Ra yra žinomos, pakopos maitinimo įtampa apskaičiuojama remiantis (1). Emiterio grandinėse yra stabilizuojantieji rezistoriai R9=R10; patartina parinkti R9=R10=0,05Ra ir ξ≈0,95 ,tada R9=R10=0,05∙6=0,3

šiuo atveju apytikslė formulė bus

E≈[pic] , ir E≈11,25 V

Galinės pakopos kolektorinės grandinės skaičiuotė

Laikoma kad ξ=1.Tuomet remiantis (2) išraiška, emiterio įtampa

Ukmax3≈Uamax≈E/2 Ukmax3≈11,25/2≈5,6 V

Maksimali įtampa tarp kolektoriaus ir emiterio

Ukemax3≈E Ukemax3≈11,25 V
Kolektoriaus srovės impulso amplitudė

Ikmax3≈E/2Ra Ikmax3≈11,25/(2∙6)≈0,937 A

Kolektoriaus srovės nuolatinė dedamoji

Ikvid3=Ikmax3/π Ikvid3=0,937/3,14=0,3 A
Iš maitinimo šaltinio naudojama galia

P03=E2/2πRa P0=11,252/2π6=3,36 W

Maksimali kolektoriaus išsklaidoma galia

Pkmax=E2/4π2Ra≈Pa/4 Pkmax=2,1/4=0,525 W
Laikome, kad I0k darbo taške lygus nuliui

Tranzistorių VT3 ir VT4 ribinis dažnis fh21e3=2∙fa=3∙6,5=19,5 kHz
Galinės pakopos tranzistorių parinkimas
Remdamiesi Ukemax, Ikmax, Pkmax, fh21e reikšmėmis parenkame galinės pakopos tranzistorius. Iš žinynų parenkamos komplementinės tranzistorių poros su maksimaliu srovės stiprinimo koeficientu.

Parenkame tranzistorius KT814A(p-n-p) ir KT815A(n-p-n)

Ukem=25 V ; Ikm=1,5 A ; Pkm=1 W ; fh21e=3 MHz

h21emin=40 iš čia h21e3=40

Tranzistoriai su labai dideliu h21e turi nedidelį fh21e ir mažesnį stiprintuvo stiprinimą aukščiausią dažnį. Todėl trečioji pakopa būna siaurajuostė, bet fh21e3≈(2…3)fa

jei šita sąlyga netenkinama , tarp bazės įtampos ir kolektoriaus srovės atsiranda fazių skirtumas,pablogėja pakopos energetinės charakteristikos (sumažėja Pa , padidėja P03).

Jei trečioji pakopa tenkina ši sąlyga, tai pirmosios ir antrosios pakopų tranzistoriai turi tenkinti sąlygą h21e1≈fh21e2≈10Ffa ,čia F – NGR gilumas

fh21e1≈fh21e2≈10∙32∙6500=2,8 MHz

iš galinės pakopos tranzistoriaus išėjimo charakteristikų surandame bazės srovės amplitudė reikšmę Ibmax3=18 mA, Ikmax3=937 mA ir liekamąją

įtampą Ukemin3=0,25 V. Patiksliname ξ

Uamax=Ra∙ Ikmax3=6∙0,937=5,62 V

ξ=2∙ Uamax/E=2∙5,62/11,25=0,999

nes ξ>0,85 tai energetinės charakteristikos neperskaičiuojamos.
Galinės pakopos tranzistoriaus bazės grandinės skaičiuotė
Ibmax3=18 mA

Pb3≈Pa/h21e3 ≈2,1/40≈0,052 W≈52 mW
Antrojo tranzistoriaus kolektoriaus grandinės skaičiuotė
Tranzistoriaus VT2 atiduodama galia

Pk2=(1,1…..1,2)Pb3 Pk2=1,1∙52=57,2 mW

Nes dalis energijos sunaudojama priešįtampio grandinėse

Kolektoriaus srovės amplitudė

Ikmax2=1,1∙Ibmax3 Ikmax2=1,1∙18=19,8 mA

Tranzistorius VT2 dirba A klasės režimu. Jo Ikvid2=Ik2 ,apytikriai

Ik2=1,1∙E/2∙Ra∙h21e3 Ik2=1,1∙11,25/2∙6∙40=25,8 mA

Maksimali kolektoriaus srovė

Ikm2= Ik2+ Ikmax2≈2∙ Ik2 Ikm2=2∙25,8=51,6 mA

Kolektoriaus įtampos amplitudė

Ukmax2≈E/2 Ukmax2≈11,25/2≈5,6 V

Maksimali įtampa tarp kolektoriaus ir emiterio

Ukem2≈E Ukem2≈11,25 V

Iš maitinimo šaltinio sunaudojama galia

P02=E∙Ik2 P02=11,25∙25,8=290 mW

Kolektoriuje išsklaidoma galia

Pk2=6Pa/h21e3 Pk2=6∙2,1/40=0,315 W=315 mW

Ribinis dažnis fh21e2≈10∙F∙fa ≈10∙32∙6500≈2,08 MHz

R8=E/2∙Ik2 R8=11,25/2∙25,8=218 Ω

Antrojo tranzistoriaus parinkimas
Remiantis apskaičiuotomis Ikm , Ukemax2 , Pk2 , fh21e2 reikšmėmis ,

parenkamas tranzistorius VT2 .

Ikmax2=19,8 mA ; Ukem2≈11 V ; Pk2 =315 mW ; fh21e2=2,08 MHz

Parenkame : Tranzistorius КТ501B (p-n-p)

fh21e2=5 MHz ; Ikmax=300 mA ; Ukem=15 V ; Pk =350 mW ; h21emin=80 ir

h21emax=240

iš čia h21e2=( h21emin+ h21emax)/2=(80+240)/2=160
Antrojo tranzistoriaus bazės grandinės skaičiuotė

Kintamosios bazės srovės amplitudė randama iš charakteristikų arba

apytikriai iš formulės

Ibmax2≈Ikmax2/h21e2 Ibmax2≈19,8/160≈0,124 mA

Iš žinyno surandame tranzistoriaus įėjimo varžą. Dėl to , kad šio

duomens neturime, galime tarti , kad Rin2 lygi keliems šimtams omų, tarkim

kad Rin2=500 Ω

Rezistoriaus varža

R4≈(10…20)Rin2 R4≈10∙500≈5000 Ω≈5 kΩ

Bazės kintamos įtampos amplitudė

Ubmax2=Ibmax2∙Rin2 Ubmax2=0,124∙500=61,9 mV

Bazės grandinės sunaudojama galia

Pb2=0,5∙Ubmax2∙Ibmax2 Pb2=0,5∙61,9∙0,124=3,84 mW

Pirmojo tranzistoriaus kolektoriaus ir bazės grandžių skaičiuotė bei

tranzistoriaus parinkimas
Šių grandžių skaičiuotė tokia pat kaip ir antrojo tranzistoriaus.

Naudingoji galia

Pa1=(1,1…1,2)Pb2 Pa1=1,1∙3,84=4,22 mW

Kolektoriaus kintamos srovės amplitudė

Ikmax1≈(1,1….1,2)Ibmax2

Ikmax1≈1,1∙0,124≈0,136 mA

Nuolatinė kolektoriaus dedamoji Ik1>Ikmax1,dėl to kad Ikmax1
,tai

Paimsim Ik1=2 mA

Iš maitinimo šaltinio naudojama galia

P01≈Pk1=E∙Ik1 P01=11,25∙2=22,5 mW

Kolektoriaus srovės maksimali reikšmė

Ikm≈2∙Ik1 Ikm≈2∙2≈4 mA

Maksimali įtampa tarp emiterio ir kolektoriaus

Ukemax≈E/2 Ukemax≈11,25/2≈5,6 V

Ribinis dažnis fh21e1≈10∙F∙fa ≈10∙32∙6500≈2,8 MHz

Šių duomenų pakanka tranzistoriai parinkti.
Parenkame tranzistorių

Ikmax1=4 mA ; Ukem1≈5,6 V ; Pk2 =22,5 mW ; fh21e2=2,08 MHz

Tranzistorius KT342A (n-p-n) :

fh21e2=250 MHz ; Ikmax=50 mA ; Ukem=30 V ; Pk =250 mW ;h21emin=100 ir

h21emax=250 iš čia h21e=( h21emin+ h21emax)/2=(100+250)/2=175

Bazės grandinės srove

Ib1≈Ik1/h21e1 Ib1≈2/175≈0,012 mA
MGR grandinės skaičiuotė

Pirmiausia pagal nurodytą netiesinių intermoduliacinių ir dinaminių

iškraipymų koeficientų dydį nustatomas grįžtamojo ryšio gylis

F=1+β∙K≈30
Rezistoriaus R6 varža

R6≈h21e2h21e3Ra/F R6≈160∙40∙6/30=1280 Ω=1,28 kΩ

Stiprinimo koeficientas ir įėjimo varža priklauso nuo santykių R6/R5.

Didėjant stiprinimui, mažėja įėjimo varža, todėl dažniausiai parenkama

R6/R5=20…100 , turi būti išlaikoma sąlyga Ra
Parinksim R6/R5=90, tada R5=33 Ω ir sąlyga Ra
galioja .

Pirmojo tranzistoriaus bazės daliklio skaičiuotė

Taško B1 įtampa turi nepriklausyti nuo bazės, bei

Paskelbtas
prieš
Shudinas darbas, as net 6 nerasyciau. Aprasymo beveik nera, jokios analitines dalies, nei normalaus ivado, nei isvadu. Tranzistoriu paskaiciavimai is lempos.
trumpai tariant, be aiskinamojo rasto pliki skaiciavimai nedaug verti.

atbulinės

kolektoriaus srovių pokyčio. Todėl nestabilumo koeficientą būtina parinkti

D≈2….4. stabilumui padidinti parenkama Id≈Ik1, daliklio varža

Ib1≈0,012 mA Id≈2 mA

R1+R2+R3=E/Ik1 R1+R2+R3=11.25/2=5,6 kΩ

Taško B1 įtampa

Ub1=Ube1+Ik1∙R6+E/2 ,kur Ub1=0,52 V

Ub1=Id∙R1 , todėl R1=Ub1/Ik1

Randame R1 ir R2+R3

R1=0,52/2=0,26 kΩ ir R2+R3=5,6-0,26 =5,34 kΩ

Iš fono filtracijos sąlygos R2=(2…5)R3

R3=(R2+R3)/3 R3=5,34/3=1,78 kΩ R2=5,34-1,78=3,56 kΩ

Apskaičiuosim daliklio nestabilumo koeficientą

D=h21e/(1+h21e∙Re∙(Re+Rb)-1 , kur Rb=R1||(R2+R3) , Re=R6

Rb=0,26∙5,34/(0,26+5,34)=0,248 kΩ , Re=1,28 kΩ

D=175/(1+175∙1,28∙(1,28+0,248)-1=1,186
Galinės pakopos ramybės srovės parinkimas

Nuolatinės srovės stiprintuve (nuo taško B1 iki M ) būtina

stabilizuoti tranzistorių nuolatinės srovės režimą.BGS didžiausią įtaka

nestabilumui turi galinės pakopos srovės ir įtampos pokyčiai.

Norint sumažinti D, didinama Re. Galinėje pakopoje Re didinti

nenaudinga , nes mažėja naudingumo koeficientas. Galinėje pakopoje

stabilizuojama tranzistorių ramybės srovė. Lygiagrečiai su galinės pakopos

bazių grandinėmis prijungiama grandinėlė VD5 ir R7.

Eksperimentiškai yra nustatyta, kad diodinės – rezistorinės

stabilizacijos schemos patenkinamai dirba kambario sąlygomis.

Kondensatorių skaičiuotė

Kondensatorių talpas rekomenduojama skaičiuoti pagal šias formules :

C1=A/ωžRin gr.r. ,čia A≥10; paimsim A=10

Rin gr.r=R5Rah21e1h21e2h21e3/R6

C3=1/ωžR5

C4=1/ωžR‘a R‘a=Ra+Ri3

Ri3=(R8+rb3)(h21e3+1)-1+(R9+re3)≈R9+re3 , re3=26/Ie3

C2≥3/fžRf Urf≤0,1Ek

Rin gr.r=33∙6∙175∙160∙40/1280=173,25 kΩ

C1=10/2π190∙173250=0,048∙10-6 =0,048 µkF

C2≥3/2∙π∙190∙3560≥0,719 µkF, C2=10 µkF

C3=1/2∙π∙190∙33=25,4∙10-6=25,4 µkF

re3=26/Ie3 = 26/300

R‘a=6+0,3+26/300=6,39 Ω

C4=1/2∙π∙190∙6,39=131∙10-6=131 µkF

C5≈C4=131 µkF

RC grandinėlė panaikina autovirpesius :

C=1/ωa[pic] R
C=2/ωaRa

R=6/1,41≈4,25 Ω ; C=2/2∙π∙6500∙4,25=11,5∙10-6=11,5 µkF

Maitinimo šaltinio galia
Suminė iš maitinimo šaltinio naudojama srovė

I=Id+Ik1+Ik2+Ivid3=2Ik1+Ik2+Ivid3 I=4+25,8+300=329,8 mA

o naudojama galia

P=EI P=11,25∙329,8=3,71 W
Pagrindinių stiprintuvo charakteristikų patikslinimas
Parinkus tranzistorius ir apskaičiavus visus schemos elementus, pagal

tikslias formules patikslinamos pagrindinės stiprintuvo charakteristikos :

Įtampos stiprinimo koeficientas (NGR atjungtas):

K=h21e1h21e2(h21e3+1)(R‘in2/Rin2)(Ra/Rin1)

Rin2=rb2+(h21e2+1)re2 Rin2=50+(160+1)26/25,2=216,1 Ω

R‘in2=Rin2||R4 R‘in2=216,1∙5000/(216,1+5000)=207,2 Ω

Rin1=rb1+(h21e1+1)(re1+R5) Rin1=38+(175+1)(26/2+33)=8134 Ω

K=175∙160∙(40+1)(207,2/216,1)(6/8134)=812

Srovės stiprinimo koeficientas :

Ki=h21e1h21e2(h21e3+1)(R‘in2/Rin2)(Rin/Rin1)

Rin=Rin1||R≈Rin1≈h21e1R5 Rin=175∙33=5775 Ω

R=R1||R2

Ki=175∙160∙(40+1)(207,2/216,1)(5775/8134)=781492

Įtampos stiprinimo koeficientas, esant NGR:

Kgr.r=K/(1+βK) β=R5/(R5+R6) β=33/(33+1280)=0,025

Kgr.r=812/(1+0,025∙812)=38,12

Galios stiprinimo koeficientas:

Kp=Kgr.rKi Kp=38,12∙781492= 29790000

Įėjimo varža:

Rin gr.r=Rin(1+βK) Rin gr.r=5775(1+0,025∙812)=1230 kΩ

Įėjimo signalo įtampa ir galia (iš žinomų išėjimo signalo įtampos ir

galios bei stiprinimo koeficientų).

Ui=Ua/ Kgr.r Ui=5,6/38,12=0,147 V

Pi=Pa/ Kp Pi=2,1/29790000=0,0705∙10-6 W
Elementų parinkimas prisilaikant standarto
Tranzistoriai

VT1 KT342A (n-p-n)

VT2 KT501B (p-n-p)

VT3 KT815A (n-p-n)

VT4 KT814A (p-n-p)

Diodas

V5 Д310
Rezistoriai

|Rezistoriai|Nominalas |Tipas |

|R1 |260 Ω |MLT-0,25 5%|

|R2 |3,3 kΩ |MLT-0,25 5%|

|R3 |1,8 kΩ |MLT-0,25 5%|

|R4 |5,1 kΩ |MLT-0,25 5%|

|R5 |33 Ω |MLT-0,25 5%|

|R6 |1,2 kΩ |MLT-0,25 5%|

|R11 |10Ω||10Ω |MLT-0,25 5%|

|R7 |200Ω |MLT-0,25 5%|

|R8 |240Ω |MLT-0,25 5%|

R9 ir R10 vyniojami ant rezistorių 100 kΩMLT-0,5

Kondensatoriai

|Kondensatori|Nominalas |Tipas |

|us | | |

|C1 |1 µkFx15V |K50-B |

|C2 |1 µkFx15V |K50-B |

|C3 |50 µkFx15V |K50-B |

|C4 |200 µkFx15V |K50-B |

|C5 |200 µkFx15V |K50-B |

|C6 |10 µkFx15V |K50-B |

Stiprintuvo konstrukcijos aprašymas
Mūsų atvejų stiprintuvas yra su komplementiniais tranzistoriais.

Stiprintuvas turi 4 tranzistorius ir susideda iš įėjimo pakopos , paprastos

tarpinės pakopos ir galinės pakopos. Įėjimo signalas per skiriamąjį

kondensatorių patenka į VT1 bazę. Varžų daliklis R1 ir R2 VT1 bazei

sudaromas priešįtampis. C2 ir R2 grandinė yra skiriamasis filtras.

Tranzistoriaus VT1 apkrova yra lygiagrečiai sujungtos rezistoriaus R3 ir

VT2 bazės grandinės. Nuosekliai VT1 emiteriui įjungta grandinėlė R5 C3.

stiprinamų diapazone C3 varža beveik lygi nuliui, todėl kintamosios srovės

atžvilgiu R5 apatinė dalis turi nulinį potencialą. Per R5 susidaromas

vietinis neigiamas ryšys. Nuolatinė emiterio srovės dedamoji teka per

rezistorius R6 ir R10 bei tranzistorių VT4. Per R6 vyksta nuolatinės srovės

neigiamas grįžtamasis ryšys (NGR). Jis stabilizuoja galinės pakopos rimties

įtampą (taškė M) lygią E/2. Grandinė R6 R5 C3 susidaro bendras kintamosios

srovės NGR. Jis stabilizuoja stiprintuvo stiprinimo koeficientą ir sumažina

netiesinius ir intermoduliacinius iškraipymus.

Iš VT1 kolektoriaus naudingas signalas patenka į VT2 bazę (taškas B2).

Tranzistorius VT1 beveik nestiprina signalo, o stiprina tik tranzistorius

VT2. Sustiprintas signalas iš tranzistoriaus VT2 kolektoriaus patenka į

galinės pakopos tranzistorių VT3 ir VT4 bazes. Tranzistoriaus VT2 apkrova

yra tranzistorių VT3 ir VT4 bazės grandinės ir lygiagrečiai su jomis

prijungti diodas VD1, rezistoriai R7 R8 ir Ra . Iš diodo VD1 ir

rezistoriaus R7 sudaryta grandinė sukuria priešįtampį tranzistorių VT3 ir

VT4 bazių grandinėms ir stabilizuoja galinės pakopos rimties srovė. Per

rezistorių R8 susidaro teigiamas grįžtamasis ryšys (TGR). Jis padidina

valdymo signalo įtampą galinės pakopos įėjime ir išlygina kintamas įtampas.

Galinė pakopa surinkta iš komplementinių tranzistorių VT ir VT4. abu

tranzistoriai sužadinami sinfaziškai. Rezistoriai R9 ir R10 yra

tranzistorių VT3 ir VT4 emiterinės stabilizacijos elementai. Paprastai

rezistorių R9 ir R10 varžos yra nedidelės, todėl nedidelis ir emiterinės

stabilizacijos koeficientas. Per rezistorius R9 ir R10 susidaro vietinis

NGR, todėl galinės pakopos tranzistorių parametrų identiškumui keliami

mažesni reikalavimai. Abu tranzistoriai įjungti bendro kolektoriaus

schemoje, galinė pakopa per talpinį ryšį (kondensatorius C4) sujungta su

apkrova Ra. Kondensatorius C5 sumažina fono lygi ir pulsacijas. R11C6

grandinėlė panaikina autovirpesius.

[pic]

1- įėjimo ir tarpinė pakopa

2- Galinė pakopa

3- NGR grandinės su perdavimo koeficientu β

[pic]
ADCH skaičiuotė
Žemų dažnių diapazone kritimas ADCH priklauso nuo kondensatorių :

skiriamųjų C1 ir C4 bei blokuojančių C3. Aukštų dažnių diapazone kritimas

ADCH priklauso nuo tranzistoriaus charakteristikos o tai pat nuo aukštojo

dažnio korekcinės grandinės C6R11.

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

Užduotyje nurodytų ir apskaičiuotų stiprintuvo parametrų ir charakteristikų

palyginimas

Lyginant su projekto duomenims galima sakyti kad stiprintuvas

apskaičiuotas pagal šių domenų. Turint įėjimo signalą (190 Hz….6,5 kHz

diapazonas ) 190 mV ,stiprintuvas stiprina ji ir ant apkrovos 6 Ω

išsklaidoma 2,1 W galia. Tiesiniu iškraipymų koeficientas
netiesinių iškraipymų koeficientas >1 kΩ

(144 kΩ)
Literatūra

1. A.Regekskis Betransformatorių galios stiprintuvų apskaičiavimas

2. Л.Е.Варакин Бестрансформаторные усилители мощности (1984)

3. Г.С.Остапенко Усилительные устройства (1989)

4. Г.С.Цыкин Усилительные устройства (1971)

5. Усилительные устройства (под редакцией О.В.Головина 1993)

6. Д.Ф.Шафер Регулировка, испытания и проверочные расчеты транзисторных

усилителей (1971)

7. Г.В.Войшвило Усилительные устройства (1983)

8. Н.И.Овсяников Креьнивые биполярные транзисторы

9. Справочник.Полупроводниковые приборы.(под редакцией А.В. Голомедова)

Rašykite komentarą

-->