Analoginiai įtaisai
Autorius: Saulė
Skaičiuojamojo-paaiškinamojo rašto turinys
1. Įvadas
2. Apytikrė stiprintuvo skaičiuotė ir elementinės bazės parinkimas
3. Struktūrinės ir principinės schemos sudarymas
4. Pilna principinės schemos skaičiuotė bei elementų parinkimas, prisilaikant standarto
5. ADCH skaičiuotė
6. Stiprintuvo konstrukcijos aprašymas
7. Ekvivalentinė schema
8. Užduotyje nurodytų ir apskaičiuotų stiprintuvo parametrų ir charakteristikų palyginimas
9. Detalių specifikacija
10. Naudotos literatūros sąrašas
11. Turinys
Įvadas
Projekto tema: Garsinio dažnio betransformatorinis galios stiprintuvas
Projekto užduotis Nr. 10 duomenys: stiprinamų dažnių juosta [pic]=190 Hz –6,5 kHz ; leistinas tiesinių iškraipymų koeficientas [pic]; netiesinių iškraipymų koeficientas [pic] % ; (signalo šaltinio) įėjimo įtampa es=[pic] = 190 mV ; išėjimo galia Piš=2,1 W ; stiprintuvo įėjimo varža Rin(1,0 k( ; apkrova Ra=6 ( ; signalo šaltinio vidaus varža Rš= 1,0 k(Be transformatoriai galios stiprintuvai naudojami įvairiuose radiotechniniuose įrenginiuose garsinio dažnio signalams stiprinti (dažnių juosta nuo 5 Hz iki 80 kHz, nominali išėjimo galia iki 200 W ). Lyginant su transformatoriniais galios stiprintuvais, BGS turi nemažai pranašumų: jiems ne reikalingas išėjimo transformatorius, todėl sumažėja stiprintuvo matmenys, masė , dažniniai iškraipymai . Be to , tokie stiprintuvai ekonomiškesni ir pigesni. Jų išėjimo varža artima apkrovai, todėl nereikia papildomai suderinti varžų. Jie turi didesnį naudingumo koeficientą, ši stiprintuvą galima pagaminti kaip mikroschema.
Skaičiuojant stiprintuvą pirmiausiai parenkama stiprintuvo schema ir tranzistorių tipai, apskaičiuojami visi schemos elementai, stiprintuvo įėjimo varža ir įtampa. Skaičiuojant tranzistorinės pakopas, būtina atkreipti dėmėsi į tai, kad tranzistorių parametrų, ypač srovės stiprinimo koeficiento sklaida labai didelė. Labai tiksliai apskaičiuoti schemos elementus nebūtina, nes svarbiausi schemos elementai , ypač grįžtamojo ryšio grandinėse , parenkami derinant stiprintuvą. BGS schemų dabar yra labai įvairių. Jos turi skirtingas įėjimo, tarpines bei galines pakopas.
BGS galėsime sugrupuoti taip:
-stiprintuvai su komplementiniais tranzistoriais
-stiprintuvai su sudėtiniais komplementiniais tranzistoriais
-stiprintuvai su sudėtiniais kvazikomplementiniais tranzistoriais.
Apytikrė stiprintuvo skaičiuotė ir elementinės bazės parinkimas
Maitinimo šaltinio skaičiuotė
Betransformatorinio stiprintuvo maitinimo įtampa E, apkrovoje Ra išsiskirianti galia Pa yra tiesiogiai susijusios priklausomybe P=ξ2E2/8∙Ra (1)
Čia ξ – įtampos panaudojimo koeficientas
ξ=2∙Ukmax/E≈2∙Uamax/E (2)
čia Uamax – įtampos apkrovoje amplitudė kai Pa ir Ra yra žinomos, pakopos maitinimo įtampa apskaičiuojama remiantis (1). Emiterio grandinėse yra stabilizuojantieji rezistoriai R9=R10; patartina parinkti R9=R10=0,05Ra ir ξ≈0,95 ,tada R9=R10=0,05∙6=0,3
Ω
šiuo atveju apytikslė formulė bus
E≈[pic] , ir E≈11,25 V
Galinės pakopos kolektorinės grandinės skaičiuotė
Laikoma kad ξ=1.Tuomet remiantis (2) išraiška, emiterio įtampa
Ukmax3≈Uamax≈E/2 Ukmax3≈11,25/2≈5,6 V
Maksimali įtampa tarp kolektoriaus ir emiterio
Ukemax3≈E Ukemax3≈11,25 V
Kolektoriaus srovės impulso amplitudė
Ikmax3≈E/2Ra Ikmax3≈11,25/(2∙6)≈0,937 A
Kolektoriaus srovės nuolatinė dedamoji
Ikvid3=Ikmax3/π Ikvid3=0,937/3,14=0,3 A
Iš maitinimo šaltinio naudojama galia
P03=E2/2πRa P0=11,252/2π6=3,36 W
Maksimali kolektoriaus išsklaidoma galia
Pkmax=E2/4π2Ra≈Pa/4 Pkmax=2,1/4=0,525 W
Laikome, kad I0k darbo taške lygus nuliui
Tranzistorių VT3 ir VT4 ribinis dažnis fh21e3=2∙fa=3∙6,5=19,5 kHz
Galinės pakopos tranzistorių parinkimas
Remdamiesi Ukemax, Ikmax, Pkmax, fh21e reikšmėmis parenkame galinės pakopos tranzistorius. Iš žinynų parenkamos komplementinės tranzistorių poros su maksimaliu srovės stiprinimo koeficientu.
Parenkame tranzistorius KT814A(p-n-p) ir KT815A(n-p-n)
Ukem=25 V ; Ikm=1,5 A ; Pkm=1 W ; fh21e=3 MHz
h21emin=40 iš čia h21e3=40
Tranzistoriai su labai dideliu h21e turi nedidelį fh21e ir mažesnį stiprintuvo stiprinimą aukščiausią dažnį. Todėl trečioji pakopa būna siaurajuostė, bet fh21e3≈(2…3)fa
jei šita sąlyga netenkinama , tarp bazės įtampos ir kolektoriaus srovės atsiranda fazių skirtumas,pablogėja pakopos energetinės charakteristikos (sumažėja Pa , padidėja P03).
Jei trečioji pakopa tenkina ši sąlyga, tai pirmosios ir antrosios pakopų tranzistoriai turi tenkinti sąlygą h21e1≈fh21e2≈10Ffa ,čia F – NGR gilumas
fh21e1≈fh21e2≈10∙32∙6500=2,8 MHz
iš galinės pakopos tranzistoriaus išėjimo charakteristikų surandame bazės srovės amplitudė reikšmę Ibmax3=18 mA, Ikmax3=937 mA ir liekamąją
įtampą Ukemin3=0,25 V. Patiksliname ξ
Uamax=Ra∙ Ikmax3=6∙0,937=5,62 V
ξ=2∙ Uamax/E=2∙5,62/11,25=0,999
nes ξ>0,85 tai energetinės charakteristikos neperskaičiuojamos.
Galinės pakopos tranzistoriaus bazės grandinės skaičiuotė
Ibmax3=18 mA
Pb3≈Pa/h21e3 ≈2,1/40≈0,052 W≈52 mW
Antrojo tranzistoriaus kolektoriaus grandinės skaičiuotė
Tranzistoriaus VT2 atiduodama galia
Pk2=(1,1…..1,2)Pb3 Pk2=1,1∙52=57,2 mW
Nes dalis energijos sunaudojama priešįtampio grandinėse
Kolektoriaus srovės amplitudė
Ikmax2=1,1∙Ibmax3 Ikmax2=1,1∙18=19,8 mA
Tranzistorius VT2 dirba A klasės režimu. Jo Ikvid2=Ik2 ,apytikriai
Ik2=1,1∙E/2∙Ra∙h21e3 Ik2=1,1∙11,25/2∙6∙40=25,8 mA
Maksimali kolektoriaus srovė
Ikm2= Ik2+ Ikmax2≈2∙ Ik2 Ikm2=2∙25,8=51,6 mA
Kolektoriaus įtampos amplitudė
Ukmax2≈E/2 Ukmax2≈11,25/2≈5,6 V
Maksimali įtampa tarp kolektoriaus ir emiterio
Ukem2≈E Ukem2≈11,25 V
Iš maitinimo šaltinio sunaudojama galia
P02=E∙Ik2 P02=11,25∙25,8=290 mW
Kolektoriuje išsklaidoma galia
Pk2=6Pa/h21e3 Pk2=6∙2,1/40=0,315 W=315 mW
Ribinis dažnis fh21e2≈10∙F∙fa ≈10∙32∙6500≈2,08 MHz
R8=E/2∙Ik2 R8=11,25/2∙25,8=218 Ω
Antrojo tranzistoriaus parinkimas
Remiantis apskaičiuotomis Ikm , Ukemax2 , Pk2 , fh21e2 reikšmėmis ,
parenkamas tranzistorius VT2 .
Ikmax2=19,8 mA ; Ukem2≈11 V ; Pk2 =315 mW ; fh21e2=2,08 MHz
Parenkame : Tranzistorius КТ501B (p-n-p)
fh21e2=5 MHz ; Ikmax=300 mA ; Ukem=15 V ; Pk =350 mW ; h21emin=80 ir
h21emax=240
iš čia h21e2=( h21emin+ h21emax)/2=(80+240)/2=160
Antrojo tranzistoriaus bazės grandinės skaičiuotė
Kintamosios bazės srovės amplitudė randama iš charakteristikų arba
apytikriai iš formulės
Ibmax2≈Ikmax2/h21e2 Ibmax2≈19,8/160≈0,124 mA
Iš žinyno surandame tranzistoriaus įėjimo varžą. Dėl to , kad šio
duomens neturime, galime tarti , kad Rin2 lygi keliems šimtams omų, tarkim
kad Rin2=500 Ω
Rezistoriaus varža
R4≈(10…20)Rin2 R4≈10∙500≈5000 Ω≈5 kΩ
Bazės kintamos įtampos amplitudė
Ubmax2=Ibmax2∙Rin2 Ubmax2=0,124∙500=61,9 mV
Bazės grandinės sunaudojama galia
Pb2=0,5∙Ubmax2∙Ibmax2 Pb2=0,5∙61,9∙0,124=3,84 mW
Pirmojo tranzistoriaus kolektoriaus ir bazės grandžių skaičiuotė bei
tranzistoriaus parinkimas
Šių grandžių skaičiuotė tokia pat kaip ir antrojo tranzistoriaus.
Naudingoji galia
Pa1=(1,1…1,2)Pb2 Pa1=1,1∙3,84=4,22 mW
Kolektoriaus kintamos srovės amplitudė
Ikmax1≈(1,1….1,2)Ibmax2
Ikmax1≈1,1∙0,124≈0,136 mA
Nuolatinė kolektoriaus dedamoji Ik1>Ikmax1,dėl to kad Ikmax1
,tai
Paimsim Ik1=2 mA
Iš maitinimo šaltinio naudojama galia
P01≈Pk1=E∙Ik1 P01=11,25∙2=22,5 mW
Kolektoriaus srovės maksimali reikšmė
Ikm≈2∙Ik1 Ikm≈2∙2≈4 mA
Maksimali įtampa tarp emiterio ir kolektoriaus
Ukemax≈E/2 Ukemax≈11,25/2≈5,6 V
Ribinis dažnis fh21e1≈10∙F∙fa ≈10∙32∙6500≈2,8 MHz
Šių duomenų pakanka tranzistoriai parinkti.
Parenkame tranzistorių
Ikmax1=4 mA ; Ukem1≈5,6 V ; Pk2 =22,5 mW ; fh21e2=2,08 MHz
Tranzistorius KT342A (n-p-n) :
fh21e2=250 MHz ; Ikmax=50 mA ; Ukem=30 V ; Pk =250 mW ;h21emin=100 ir
h21emax=250 iš čia h21e=( h21emin+ h21emax)/2=(100+250)/2=175
Bazės grandinės srove
Ib1≈Ik1/h21e1 Ib1≈2/175≈0,012 mA
MGR grandinės skaičiuotė
Pirmiausia pagal nurodytą netiesinių intermoduliacinių ir dinaminių
iškraipymų koeficientų dydį nustatomas grįžtamojo ryšio gylis
F=1+β∙K≈30
Rezistoriaus R6 varža
R6≈h21e2h21e3Ra/F R6≈160∙40∙6/30=1280 Ω=1,28 kΩ
Stiprinimo koeficientas ir įėjimo varža priklauso nuo santykių R6/R5.
Didėjant stiprinimui, mažėja įėjimo varža, todėl dažniausiai parenkama
R6/R5=20…100 , turi būti išlaikoma sąlyga Ra
Parinksim R6/R5=90, tada R5=33 Ω ir sąlyga Ra
galioja .
Pirmojo tranzistoriaus bazės daliklio skaičiuotė
Taško B1 įtampa turi nepriklausyti nuo bazės, bei
Paskelbtas
prieš
Shudinas darbas, as net 6 nerasyciau. Aprasymo beveik nera, jokios analitines dalies, nei normalaus ivado, nei isvadu. Tranzistoriu paskaiciavimai is lempos.
trumpai tariant, be aiskinamojo rasto pliki skaiciavimai nedaug verti.
atbulinės
kolektoriaus srovių pokyčio. Todėl nestabilumo koeficientą būtina parinkti
D≈2….4. stabilumui padidinti parenkama Id≈Ik1, daliklio varža
Ib1≈0,012 mA Id≈2 mA
R1+R2+R3=E/Ik1 R1+R2+R3=11.25/2=5,6 kΩ
Taško B1 įtampa
Ub1=Ube1+Ik1∙R6+E/2 ,kur Ub1=0,52 V
Ub1=Id∙R1 , todėl R1=Ub1/Ik1
Randame R1 ir R2+R3
R1=0,52/2=0,26 kΩ ir R2+R3=5,6-0,26 =5,34 kΩ
Iš fono filtracijos sąlygos R2=(2…5)R3
R3=(R2+R3)/3 R3=5,34/3=1,78 kΩ R2=5,34-1,78=3,56 kΩ
Apskaičiuosim daliklio nestabilumo koeficientą
D=h21e/(1+h21e∙Re∙(Re+Rb)-1 , kur Rb=R1||(R2+R3) , Re=R6
Rb=0,26∙5,34/(0,26+5,34)=0,248 kΩ , Re=1,28 kΩ
D=175/(1+175∙1,28∙(1,28+0,248)-1=1,186
Galinės pakopos ramybės srovės parinkimas
Nuolatinės srovės stiprintuve (nuo taško B1 iki M ) būtina
stabilizuoti tranzistorių nuolatinės srovės režimą.BGS didžiausią įtaka
nestabilumui turi galinės pakopos srovės ir įtampos pokyčiai.
Norint sumažinti D, didinama Re. Galinėje pakopoje Re didinti
nenaudinga , nes mažėja naudingumo koeficientas. Galinėje pakopoje
stabilizuojama tranzistorių ramybės srovė. Lygiagrečiai su galinės pakopos
bazių grandinėmis prijungiama grandinėlė VD5 ir R7.
Eksperimentiškai yra nustatyta, kad diodinės – rezistorinės
stabilizacijos schemos patenkinamai dirba kambario sąlygomis.
Kondensatorių skaičiuotė
Kondensatorių talpas rekomenduojama skaičiuoti pagal šias formules :
C1=A/ωžRin gr.r. ,čia A≥10; paimsim A=10
Rin gr.r=R5Rah21e1h21e2h21e3/R6
C3=1/ωžR5
C4=1/ωžR‘a R‘a=Ra+Ri3
Ri3=(R8+rb3)(h21e3+1)-1+(R9+re3)≈R9+re3 , re3=26/Ie3
C2≥3/fžRf Urf≤0,1Ek
Rin gr.r=33∙6∙175∙160∙40/1280=173,25 kΩ
C1=10/2π190∙173250=0,048∙10-6 =0,048 µkF
C2≥3/2∙π∙190∙3560≥0,719 µkF, C2=10 µkF
C3=1/2∙π∙190∙33=25,4∙10-6=25,4 µkF
re3=26/Ie3 = 26/300
R‘a=6+0,3+26/300=6,39 Ω
C4=1/2∙π∙190∙6,39=131∙10-6=131 µkF
C5≈C4=131 µkF
RC grandinėlė panaikina autovirpesius :
C=1/ωa[pic] R
C=2/ωaRa
R=6/1,41≈4,25 Ω ; C=2/2∙π∙6500∙4,25=11,5∙10-6=11,5 µkF
Maitinimo šaltinio galia
Suminė iš maitinimo šaltinio naudojama srovė
I=Id+Ik1+Ik2+Ivid3=2Ik1+Ik2+Ivid3 I=4+25,8+300=329,8 mA
o naudojama galia
P=EI P=11,25∙329,8=3,71 W
Pagrindinių stiprintuvo charakteristikų patikslinimas
Parinkus tranzistorius ir apskaičiavus visus schemos elementus, pagal
tikslias formules patikslinamos pagrindinės stiprintuvo charakteristikos :
Įtampos stiprinimo koeficientas (NGR atjungtas):
K=h21e1h21e2(h21e3+1)(R‘in2/Rin2)(Ra/Rin1)
Rin2=rb2+(h21e2+1)re2 Rin2=50+(160+1)26/25,2=216,1 Ω
R‘in2=Rin2||R4 R‘in2=216,1∙5000/(216,1+5000)=207,2 Ω
Rin1=rb1+(h21e1+1)(re1+R5) Rin1=38+(175+1)(26/2+33)=8134 Ω
K=175∙160∙(40+1)(207,2/216,1)(6/8134)=812
Srovės stiprinimo koeficientas :
Ki=h21e1h21e2(h21e3+1)(R‘in2/Rin2)(Rin/Rin1)
Rin=Rin1||R≈Rin1≈h21e1R5 Rin=175∙33=5775 Ω
R=R1||R2
Ki=175∙160∙(40+1)(207,2/216,1)(5775/8134)=781492
Įtampos stiprinimo koeficientas, esant NGR:
Kgr.r=K/(1+βK) β=R5/(R5+R6) β=33/(33+1280)=0,025
Kgr.r=812/(1+0,025∙812)=38,12
Galios stiprinimo koeficientas:
Kp=Kgr.rKi Kp=38,12∙781492= 29790000
Įėjimo varža:
Rin gr.r=Rin(1+βK) Rin gr.r=5775(1+0,025∙812)=1230 kΩ
Įėjimo signalo įtampa ir galia (iš žinomų išėjimo signalo įtampos ir
galios bei stiprinimo koeficientų).
Ui=Ua/ Kgr.r Ui=5,6/38,12=0,147 V
Pi=Pa/ Kp Pi=2,1/29790000=0,0705∙10-6 W
Elementų parinkimas prisilaikant standarto
Tranzistoriai
VT1 KT342A (n-p-n)
VT2 KT501B (p-n-p)
VT3 KT815A (n-p-n)
VT4 KT814A (p-n-p)
Diodas
V5 Д310
Rezistoriai
|Rezistoriai|Nominalas |Tipas |
|R1 |260 Ω |MLT-0,25 5%|
|R2 |3,3 kΩ |MLT-0,25 5%|
|R3 |1,8 kΩ |MLT-0,25 5%|
|R4 |5,1 kΩ |MLT-0,25 5%|
|R5 |33 Ω |MLT-0,25 5%|
|R6 |1,2 kΩ |MLT-0,25 5%|
|R11 |10Ω||10Ω |MLT-0,25 5%|
|R7 |200Ω |MLT-0,25 5%|
|R8 |240Ω |MLT-0,25 5%|
R9 ir R10 vyniojami ant rezistorių 100 kΩMLT-0,5
Kondensatoriai
|Kondensatori|Nominalas |Tipas |
|us | | |
|C1 |1 µkFx15V |K50-B |
|C2 |1 µkFx15V |K50-B |
|C3 |50 µkFx15V |K50-B |
|C4 |200 µkFx15V |K50-B |
|C5 |200 µkFx15V |K50-B |
|C6 |10 µkFx15V |K50-B |
Stiprintuvo konstrukcijos aprašymas
Mūsų atvejų stiprintuvas yra su komplementiniais tranzistoriais.
Stiprintuvas turi 4 tranzistorius ir susideda iš įėjimo pakopos , paprastos
tarpinės pakopos ir galinės pakopos. Įėjimo signalas per skiriamąjį
kondensatorių patenka į VT1 bazę. Varžų daliklis R1 ir R2 VT1 bazei
sudaromas priešįtampis. C2 ir R2 grandinė yra skiriamasis filtras.
Tranzistoriaus VT1 apkrova yra lygiagrečiai sujungtos rezistoriaus R3 ir
VT2 bazės grandinės. Nuosekliai VT1 emiteriui įjungta grandinėlė R5 C3.
stiprinamų diapazone C3 varža beveik lygi nuliui, todėl kintamosios srovės
atžvilgiu R5 apatinė dalis turi nulinį potencialą. Per R5 susidaromas
vietinis neigiamas ryšys. Nuolatinė emiterio srovės dedamoji teka per
rezistorius R6 ir R10 bei tranzistorių VT4. Per R6 vyksta nuolatinės srovės
neigiamas grįžtamasis ryšys (NGR). Jis stabilizuoja galinės pakopos rimties
įtampą (taškė M) lygią E/2. Grandinė R6 R5 C3 susidaro bendras kintamosios
srovės NGR. Jis stabilizuoja stiprintuvo stiprinimo koeficientą ir sumažina
netiesinius ir intermoduliacinius iškraipymus.
Iš VT1 kolektoriaus naudingas signalas patenka į VT2 bazę (taškas B2).
Tranzistorius VT1 beveik nestiprina signalo, o stiprina tik tranzistorius
VT2. Sustiprintas signalas iš tranzistoriaus VT2 kolektoriaus patenka į
galinės pakopos tranzistorių VT3 ir VT4 bazes. Tranzistoriaus VT2 apkrova
yra tranzistorių VT3 ir VT4 bazės grandinės ir lygiagrečiai su jomis
prijungti diodas VD1, rezistoriai R7 R8 ir Ra . Iš diodo VD1 ir
rezistoriaus R7 sudaryta grandinė sukuria priešįtampį tranzistorių VT3 ir
VT4 bazių grandinėms ir stabilizuoja galinės pakopos rimties srovė. Per
rezistorių R8 susidaro teigiamas grįžtamasis ryšys (TGR). Jis padidina
valdymo signalo įtampą galinės pakopos įėjime ir išlygina kintamas įtampas.
Galinė pakopa surinkta iš komplementinių tranzistorių VT ir VT4. abu
tranzistoriai sužadinami sinfaziškai. Rezistoriai R9 ir R10 yra
tranzistorių VT3 ir VT4 emiterinės stabilizacijos elementai. Paprastai
rezistorių R9 ir R10 varžos yra nedidelės, todėl nedidelis ir emiterinės
stabilizacijos koeficientas. Per rezistorius R9 ir R10 susidaro vietinis
NGR, todėl galinės pakopos tranzistorių parametrų identiškumui keliami
mažesni reikalavimai. Abu tranzistoriai įjungti bendro kolektoriaus
schemoje, galinė pakopa per talpinį ryšį (kondensatorius C4) sujungta su
apkrova Ra. Kondensatorius C5 sumažina fono lygi ir pulsacijas. R11C6
grandinėlė panaikina autovirpesius.
[pic]
1- įėjimo ir tarpinė pakopa
2- Galinė pakopa
3- NGR grandinės su perdavimo koeficientu β
[pic]
ADCH skaičiuotė
Žemų dažnių diapazone kritimas ADCH priklauso nuo kondensatorių :
skiriamųjų C1 ir C4 bei blokuojančių C3. Aukštų dažnių diapazone kritimas
ADCH priklauso nuo tranzistoriaus charakteristikos o tai pat nuo aukštojo
dažnio korekcinės grandinės C6R11.
[pic]
[pic]
[pic]
[pic]
Užduotyje nurodytų ir apskaičiuotų stiprintuvo parametrų ir charakteristikų
palyginimas
Lyginant su projekto duomenims galima sakyti kad stiprintuvas
apskaičiuotas pagal šių domenų. Turint įėjimo signalą (190 Hz….6,5 kHz
diapazonas ) 190 mV ,stiprintuvas stiprina ji ir ant apkrovos 6 Ω
išsklaidoma 2,1 W galia. Tiesiniu iškraipymų koeficientas
netiesinių iškraipymų koeficientas >1 kΩ
(144 kΩ)
Literatūra
1. A.Regekskis Betransformatorių galios stiprintuvų apskaičiavimas
2. Л.Е.Варакин Бестрансформаторные усилители мощности (1984)
3. Г.С.Остапенко Усилительные устройства (1989)
4. Г.С.Цыкин Усилительные устройства (1971)
5. Усилительные устройства (под редакцией О.В.Головина 1993)
6. Д.Ф.Шафер Регулировка, испытания и проверочные расчеты транзисторных
усилителей (1971)
7. Г.В.Войшвило Усилительные устройства (1983)
8. Н.И.Овсяников Креьнивые биполярные транзисторы
9. Справочник.Полупроводниковые приборы.(под редакцией А.В. Голомедова)